FMUSER Transistor-Transistor-FM-FMUSER FM / TV Emissor únic per a transistors d'alta potència Transistor de potencia RF GAN 2931V MOSFET

FMUSER Original nou transistor de potència RF SD2931-11 Transistor MOSFET de 20V d’alimentació elevada Descripció: El SD2931-11 és un transistor de potència RF d’efecte de camp MOS de canal N metalitzat en or. Com que és elèctricament idèntic al MOSFET estàndard SD2931, està dissenyat per a ús en aplicacions de senyal de 50 V CC fins a 230 MHz. El SD2931-11 és compatible mecànicament amb el SD2931, però ofereix a més una millor capacitat tèrmica (25% de resistència tèrmica menor), que representa els millors transistors de la seva classe per a aplicacions ISM, on la fiabilitat i la robustesa són factors crítics. Característiques: * Metalització d’or * Excel·lent estabilitat tèrmica * Font comuna

detall

anterior:FMUSER Transistor d’alimentació de nou BLF177 RF Transistor d’alta potència Transistor 50V MOSFET

següent:FMUSER Transistor MOSFET Original per a transmissor de FM de 6w, transistor de potència de RF MRF5600VP600H

Preu (USD)	Quantitat (PCS)	Enviament (USD)	Total (USD)	Mètode d'enviament	pagament
108	1	35	143	DHL
				DHL

Transistor de potència RF FMUSER Nou transistor de potència RF SD2931-11 RF GAN de gran potència Transistor 20V MOSFET

Descripció:
El SD2931-11 és un canal N metalitzat en or Transistor de potència RF d'efecte de camp MOS. Ésser elèctricament idèntic a l'estàndard SD2931 MOSFET, està pensat per a ús en 50 V dc gran aplicacions de senyal de fins a 230 MHz. El SD2931-11 és compatible mecànicament amb el SD2931 però ofereix a més una millor tèrmica capacitat (25% menor resistència tèrmica), que representa els transistors més importants de la classe ISM aplicacions, on hi ha fiabilitat i robustesa factors crítics.

Característiques:
* Metalització d'or
* Excel·lent estabilitat tèrmica
* Configuració comuna de l'origen
* POUT = 150 W min. amb 14 dB guany @ 175MHz
* Embalatge tèrmic millorat per a menor
* temperatures de la unió
* Classificació GFS i VGS marcada a la unitat

Especificació:

* Sèrie: SD2931
* Categoria de producte: Transistors RF MOSFET
* Polaritat del transistor: canal N
* Tecnologia: Si
* Id - Corrent de drenatge continu: 20 A
* Vds - Tensió d'avaria de la font de desguàs: 125 V
* Guany: 15 dB
* Potència de sortida: 150 W
* Temperatura mínima de funcionament: - 65 C
* Temperatura màxima de funcionament: + 200 C
* Estil de muntatge: Muntatge de cargol
* Embalatge: a granel
* Configuració: una font dual dual
* Alçada: 7.11 mm (màxim)
* Longitud: 24.89 mm (màxim)
* Freqüència de funcionament: 230 MHz
* Amplada: 12.83 mm (màxim)
* Mode de canal: millora
* Pd - Dissipació de potència: 389 W
* Vgs - Voltatge Font-Porta: 20 V