FMUSER Original Nou SD2942 Canal N de sortida de 350W Transistor d’energia RF Transistors MOSFET Transistor RF Transistor-RF Transistor-FMUSER Emissor FM / TV Difusió One-Stop

FMUSER Original nou SD2942 Transistor de potència de sortida de canal N de 350 W Transistor RF Transistor MOSFET Transistor RF Descripció El SD2942 és un transistor de potència RF d’efecte de camp MOS de canal N metalitzat daurat. El SD2942 ofereix un RDS (ON) un 25% inferior a l’estàndard de la indústria i un 20% més de saturació de potència que el ST SD2932. Aquestes característiques fan que el SD2942 sigui ideal per a aplicacions de 50 V CC de molt alta potència fins a 250 MHz. Característiques ● Metalització de l’or ● Excel·lent estabilitat tèrmica ● Configuració de push-pull de font comuna ● POUT = 350 W min. amb guany de 15 dB a 175 MHz ● RDS baix (activat) Especificacions Valor de l’atribut de l’atribut del producte RoHS:

detall

anterior:FMUSER Transistor MOSFET Original per a transmissor de FM de 6w, transistor de potència de RF MRF5600VP600H

següent:Transistor de potència alta FMUSER Transistor de gran potència de transistor de 2932V MOSFET

Preu (USD)	Quantitat (PCS)	Enviament (USD)	Total (USD)	Mètode d'enviament	pagament
340	1	0	340	DHL
				DHL

FMUSER Original Nou SD2942 N-Channel 350W Sortida RF Transistor de Potència RF Transistors MOSFET Transistor RF

Descripció
El SD2942 és un MOS de canal N metalitzat en or transistor de potència RF d'efecte de camp. La SD2942 ofereix un RDS (ON) un 25% inferior al estàndard de la indústria i un 20% de saturació de potència superior a ST SD2932. Aquestes característiques fan que el SD2942 ideal per a aplicacions de gran potència de 50 V CC fins a 250 MHz.

Característiques
● Metalització de l’or
●Excel·lent estabilitat tèrmica
●Configuració comú-empenta de font comuna
●POUT = 350 W min. amb 15 dB guany @ 175 MHz
●RDS baix (activat)

Especificacions

Atribut del producte	Valor de l’atribut
RoHS:	Y
Embalatge:	Safata
configuració:	Només
Tecnologia:	Si
Estil de muntatge:	SMD / SMT
tipus:	MOSFET d'energia RF
Tipus de producte:	Transistors MOSFET RF
Categoria de producte:	Transistors MOSFET RF
Polaritat del transistor:	N-Channel
Subcategoria:	MOSFETs
Pd - Dissipació de potència	500 W
Id - Corrent de drenatge continu:	40A
Vgs - Voltatge Font-Porta:	4 V
Potència de sortida:	350 W
Freqüència de funcionament:	250 MHz
Guany:	15 dB
Vds - Tensió de desglossament de la font de desguàs:	130 V
Temperatura mínima de funcionament:	- 65 C.
Temperatura màxima de funcionament:	+ 200 C.