Transistors FMUSER MRFE6VP5150N RF Transistors LDMOS de gran resistència N - Millora del canal - Mode Lateral MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER Emissor FM / TV Emissora única

Transistors LDMOS d’alimentació RF FMUSER MRFE6VP5150N Transistors LDMOS d’alta robustesa Mode MOSFET laterals de millora del canal Descripció Transistor Aquests dispositius d’alta robustesa estan dissenyats per al seu ús en industrials d’alta VSWR (inclosos els excitadors de làser i plasma), difusió (analògica i digital), aeroespacial i ràdio / terrestre aplicacions mòbils. Són dissenys d’entrada i sortida inigualables que permeten un ampli abast de freqüències, entre 1.8 i 600 MHz. Rendiment típic: VDD = 50 Vdc Valor del paràmetre ● Freqüència (mín.) (MHz): 1.8 ● Freqüència (màx.) (MHz): 600 ● Voltatge de subministrament (típic) (V): 50 ● P1dB (típic) (dBm): 51.8 ● P1dB (Typ) (W): 150 ● Potència de sortida (Typ) (W) @ Nivell d’intermodulació al senyal de prova: CW @

detall

anterior:Els transbordadors FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs MOS canals d'efecte de camp de banda ampla Transistor d'efecte de camp de banda ampla RF

següent:FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Power Transistor

Preu (USD)	Quantitat (PCS)	Enviament (USD)	Total (USD)	Mètode d'enviament	pagament
126	1	0	126	DHL
				DHL

Transistors LDMOS FMUSER MRFE6VP5150N RF Potència de gran resistència N - Mode de millora del canal Transistor lateral MOSFETs

Descripció

Aquests dispositius d'alta resistència estan dissenyats per utilitzar-los en alta velocitat de velocitat industrials (inclosos excitadors de làser i plasma), de transmissió (analògica i digital), aplicacions mòbils aeroespacials i ràdio / terrestres Són entrada inigualable i dissenys de sortida que permeten un ampli rang de freqüències entre 1.8 i XNUMX 600 MHz.

Rendiment típic: VDD = 50 Vcc

Paràmetre Valor
● Freqüència (Min) (MHz): 1.8
● Freqüència (màx) (MHz): 600
● Tensió de subministrament (Tipus) (V): 50
● P1dB (Tipus) (dBm): 51.8
● P1dB (Tipus) (W): 150
● Potència de sortida (Typ) (W) @ Nivell d'intermodulació en senyal de prova: CW @ 150.0
● Senyal de prova: CW
● Guany de potència (Tipus) (dB) @ f (MHz): 230 @ 26.3
● Eficiència (Tipus) (%): 72
● Resistència tèrmica (Espec) (℃ / W): 0.21
● Coincideix amb: inigualable
● Classe: AB
● Tecnologia en matriu: LDMOS

En cinta i rodet. Sufix R1 = 500 unitats, 44 mm d'ample de cinta, rodet de 13 polzades

Si voleu adquirir equips de FM / TV per emetre’s, no dubteu a posar-vos en contacte amb nosaltres per correu electrònic: [protegit per correu electrònic].