FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Transistor de potència Transistor MOSFET Transistor de canal N-RF Transistor-FMUSER Emissió FM / TV Proveïdor únic

FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Canal N Característiques: ● Número de peça MRF173CQ ● Descripció FET RF 65V 150MHZ 316-01 ● Descripció detallada RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, estil 2 ● Fulls de dades MRF173CQ ● Informació ambiental Certificat RoHS ● Full de dades HTML MRF173CQ Descripció: ● Embalatge: Safata ● Estat de la peça: Actiu ● Tipus de transistor: canal N ● Freqüència: 150 MHz ● Guany: 13 dB ● Voltatge - Prova: 28 V ● Valoració actual (amplificadors) : 9A ● Figura de soroll: 1.5 dB ● Corrent: prova: 50 mA ● Potència: sortida: 80 W ● Volta

detall

anterior:FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Power Transistor

següent:FMUSER Original SRF3999 Transistor de potència RF de 28V 50mA 150MHz 80W

Preu (USD)	Quantitat (PCS)	Enviament (USD)	Total (USD)	Mètode d'enviament	pagament
79	1	0	79	enviament del correu aeri
				enviament del correu aeri

FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Transistor de potència Transistor MOSFET Transistor Canal N

Característiques:

● Nombre de peça MRF173CQ

● Descripció FET RF 65V 150MHZ 316-01
● Descripció detallada RF Mosfet Canal N 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, estil 2
● Fulls de dades MRF173CQ

● Informació ambiental Certificat RoHS

● Full de dades HTML MRF173CQ

Descripció:
● Embalatge : Safata
● Estat de la peça: Actiu
● Tipus de transistor: N-Channel
● Freqüència: 150MHz
● Guany: 13dB
● Tensió: prova: 28V
● Valoració actual (amplificadors): 9A
● Figura de soroll: 1.5dB
● Corrent - Prova: 50mA
● Potència - Sortida: 80W
● Voltatge - Valorat: 65V

Aplicacions:

Dissenyat per a aplicacions comercials i militars de banda ampla fins a 200 MHz de freqüència. El rendiment d'alta potència, alt guany i banda ampla d'aquest dispositiu fa possibles transmissors d'estat sòlid per a bandes de freqüència de transmissió FM o canal de TV, mode de millora del canal N

paràmetres:
MOSFET de mode de millora del canal N
● Rendiment garantit a 150 MHz, 28 V:
Potència de sortida = 80 W
Guany = 11 dB (típic de 13 dB)
Eficiència = 55% Mín. (60% tip.)
● Baixa resistència tèrmica
● Resistència provada a la potència de sortida nominal
● Matriu de nitrur passivat per millorar
● fiabilitat ed
● Xifra de baix soroll: 1.5 dB tip. a 2.0 A, 150 MHz

● Excel·lent estabilitat tèrmica; adequat per a operacions de classe A.